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J-GLOBAL ID：200903037768356129
気相成長装置のプラズマ洗浄方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
山口 巖
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992122319
Publication number (International publication number)：1993326416
Application date： May. 15, 1992
Publication date： Dec. 10, 1993
Summary：
【要約】【目的】複数枚の基板表面を一括して成膜処理する気相成長装置の筒状反応管の内壁面を、反応管の外側に配置した電極に高周波電圧を印加するとともに反応管内に洗浄用ガスを導入しこれをプラズマ化して洗浄するプラズマ洗浄方法として、投入する高周波電力が有効に洗浄に消費され、かつ洗浄用ガスの消費量が少なくてすむ洗浄方法を提供する。【構成】洗浄時に反応管10内に誘電体構造物30を挿入し、反応管10内壁面側の限られた空間内にプラズマを形成できるようにする。挿入する誘電体構造物30は表面を珪素, 酸化珪素, 炭化珪素で覆い、プラズマ中イオンのスパッタリングにより叩き出される物質を汚染物質でないものとする。さらに、誘電体構造物は表面側の絶縁層より内部を導電体としてプラズマ密度を高め、投入電力をより効率的に利用可能とする。
Claim (excerpt)：
開放状態の端面を少なくとも一方端に有する筒状の反応管内に反応ガスを導入して反応管内部に配置した複数枚の基板表面に一括して成膜処理を行う気相成長装置の前記反応管の内壁面を、反応管の外側に配置した電極に高周波電圧を印加するとともに反応管内に洗浄用ガスを導入してこれをプラズマ化し、このプラズマ化された洗浄用ガスを用いて洗浄するプラズマ洗浄方法において、洗浄時に反応管内に誘電体構造物を挿入することを特徴とする気相成長装置のプラズマ洗浄方法。
IPC (2)：
H01L 21/205
, H01L 21/302
