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J-GLOBAL ID：200903037777663069

光励起電解研磨法による貫通孔形成方法

Inventor： 糸井 和久 ,  佐藤 倬暢 ,  末益 龍夫 ,  滝沢 功
Applicant, Patent owner： 株式会社フジクラ
Agent (1)： 加川 征彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001012502
Publication number (International publication number)：2002210614
Application date： Jan. 19, 2001
Publication date： Jul. 30, 2002
Summary：

【要約】【課題】 シリコン基板に、サイドブランチ等の生じない良質の貫通孔を形成する。【解決手段】 光励起電解研磨法でシリコン基板2に貫通孔を形成する場合、初期状態として凹所が必要である。この凹所を形成するに際して、シリコン基板2に異方性エッチングによる四角錐状凹所を形成した後、等方性エッチングを施して稜線部分に丸みを付ける。丸みを付けた稜線部分を9’a、その凹所を9’で示す。光励起電解研磨装置でエッチングする際、正孔は丸みの付いた稜線9’aに集中することなく、均等に凹所9’の各面に沿って移動して凹所9’の先端に集中し、これによりサイドブランチ等の生じない孔10が形成される。

Claim (excerpt)：

表面に凹所を形成したシリコン基板を電解液に浸漬し、このシリコン基板の前記凹所に対応する裏面に光を照射しつつ、陽極とした前記シリコン基板と陰極電極との間に電流を流して、シリコン基板の前記凹所位置を選択的にエッチングして貫通孔を形成する光励起電解研磨法による貫通孔形成方法において、シリコン基板に前記凹所を形成するに際して、四角形開口を持つマスクを上面に設けたシリコン基板の前記四角形開口部分に異方性エッチングを施して四角錐状凹所を形成した後、この四角錐状凹所に等方性エッチングを施して当該四角錐状凹所の稜線部分に丸みを持たせることを特徴とする光励起電解研磨法による貫通孔形成方法。

IPC (7)：

B23H 3/00 ,  B23H 9/14 ,  C23F 1/02 ,  C25F 3/00 ,  C25F 3/30 ,  C25F 7/00 ,  H01L 21/3063

FI (7)：

B23H 3/00 ,  B23H 9/14 ,  C23F 1/02 ,  C25F 3/00 C ,  C25F 3/30 ,  C25F 7/00 X ,  H01L 21/306 L

F-Term (18)：

3C059AA02 ,  3C059AB03 ,  3C059GB04 ,  4K057WA02 ,  4K057WA11 ,  4K057WB06 ,  4K057WB17 ,  4K057WD05 ,  4K057WE02 ,  4K057WE07 ,  4K057WE12 ,  4K057WE21 ,  4K057WN01 ,  5F043AA02 ,  5F043BB02 ,  5F043DD08 ,  5F043DD14 ,  5F043FF03