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J-GLOBAL ID：200903037785234169

単結晶ダイヤモンド膜の形成方法

Inventor： 小橋 宏司
Applicant, Patent owner： 株式会社神戸製鋼所
Agent (1)： 藤巻 正憲
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995219624
Publication number (International publication number)：1997048694
Application date： Aug. 04, 1995
Publication date： Feb. 18, 1997
Summary：

【要約】【課題】 低いコストで大面積の単結晶ダイヤモンド膜を気相合成することができ、ダイヤモンドを使用した幅広い応用分野において、ダイヤモンドの特性の飛躍的向上と実用化とを可能にする単結晶ダイヤモンド膜の形成方法を提供する。【解決手段】 単結晶ダイヤモンドの形成方法は、先ず第1基体1の上に白金膜2を蒸着し、白金膜2の上に第2基体3を圧着して、真空中でアニール処理を行う。そして、白金膜2と第1基体1とを機械的に分離し、白金膜2における第1基体1に接合していた接合面2aに粗面化処理を施した後に、接合面2a上にダイヤモンドを気相合成する。このようにして、単結晶ダイヤモンド膜4が形成される。また、蒸着した白金膜2の厚さが20μm以上の場合は、白金膜2の上に第2基体3を圧着することなく白金膜2と第1基体1とを機械的に分離することができるので、白金膜2の第1基体1に接合していた接合面2aにダイヤモンドを気相合成することにより、同様に、単結晶ダイヤモンド膜が形成される。

Claim (excerpt)：

第1基体の表面上に白金又は白金を50原子%以上含有する白金合金の蒸着膜を形成する第1工程と、前記蒸着膜にアニール処理を施す第2工程と、前記第1基体と前記蒸着膜とを分離する第3工程と、前記蒸着膜における第1基体に接合されていた面にダイヤモンド膜を合成する第4工程と、を有することを特徴とする単結晶ダイヤモンド膜の形成方法。

IPC (5)：

C30B 29/04 ,  C23C 14/14 ,  C23C 14/18 ,  C23C 14/24 ,  C23C 14/58

FI (5)：

C30B 29/04 Q ,  C23C 14/14 D ,  C23C 14/18 ,  C23C 14/24 R ,  C23C 14/58 Z