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J-GLOBAL ID：200903037793535224

半導体装置の製造方法

Inventor： 中野 正 ,  佐藤 伸良 ,  太田 与洋
Applicant, Patent owner： 川崎製鉄株式会社
Agent (1)： 杉村 暁秀 (外5名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993328676
Publication number (International publication number)：1995183292
Application date： Dec. 24, 1993
Publication date： Jul. 21, 1995
Summary：

【要約】【目的】 半導体装置の絶縁膜として埋め込み性が良好であるとともにボイドが生じることのない優れた膜質のものを簡便に形成する。【構成】 シリコンウェファ11の表面に絶縁膜15を形成するに先立って、その下地表面にシロキサンオリゴマー又はその溶液をあらかじめ塗布し、しかるのちに上記絶縁膜15を、有機けい素化合物とオゾンとを原料として用いる化学気相成長により形成する。このように下地表面にシロキサンオリゴマーを塗布することによって、埋め込み性が良く、ボイドがなく、良好な膜質の絶縁膜を形成できる。

Claim (excerpt)：

半導体装置の絶縁膜を形成するにあたり、絶縁膜を形成しようとする下地表面にシロキサンオリゴマー又はその溶液をあらかじめ塗布し、しかるのちに上記絶縁膜を、有機けい素化合物とオゾンとを原料として用いる化学気相成長により形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/316 ,  H01L 29/78