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J-GLOBAL ID:200903037801420547

薄膜形成材料及びその製造方法並びに薄膜

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 宇高 克己
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1992181954
Publication number (International publication number):1994024844
Application date: Jul. 09, 1992
Publication date: Feb. 01, 1994
Summary:
【要約】【目的】 耐久性に富む磁気記録媒体を提供することが出来る技術の提供にある。【構成】 ガラス状炭素と、平均粒径が約1μm以下の炭化珪素と、平均粒径が約1μm以下の炭化硼素とを含有する複合材料からなる薄膜形成材料であって、前記ガラス状炭素の含有割合が約40〜98wt%、前記炭化珪素の含有割合が約1〜60wt%、前記炭化硼素の含有割合が約0.3〜20wt%である薄膜形成材料。
Claim (excerpt):
ガラス状炭素と、平均粒径が約1μm以下の炭化珪素と、平均粒径が約1μm以下の炭化硼素とを含有する複合材料からなる薄膜形成材料であって、前記ガラス状炭素の含有割合が約40〜98wt%、前記炭化珪素の含有割合が約1〜60wt%、前記炭化硼素の含有割合が約0.3〜20wt%であることを特徴とする薄膜形成材料。
IPC (5):
C04B 35/52 ,  C04B 35/56 101 ,  C23C 14/34 ,  G11B 5/72 ,  G11B 5/84

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