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J-GLOBAL ID：200903037811692898

欠陥検査方法及びその装置

Inventor： 細谷 直樹 ,  高木 裕治 ,  渋谷 久恵 ,  小原 健二
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 作田 康夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002358839
Publication number (International publication number)：2003240731
Application date： Dec. 11, 2002
Publication date： Aug. 27, 2003
Summary：

【要約】【課題】ウェハ上に欠陥がクラスタ化して発生した場合に、発生したクラスタに関する正しい情報を、より少ない数の欠陥をレビューする事で効率よく得られるようにする。【解決手段】 ウェハ検査及びサンプリングシステムにおいて、ウェハ欠陥が検出され、欠陥データとしてデータストアに保存される。ウェハ上の欠陥クラスタを表す情報も提供される。統計学的手法に基づく欠陥のサンプリングが行なわれ、一組のサンプリング欠陥が得られる。続くサンプリング欠陥の詳細な検査及び解析によって、工程誤差の把握を容易にする付加的なデータが得られる。

Claim (excerpt)：

半導体ウェハを検査装置で検査して得た欠陥の位置情報を受け取り、前記位置情報を受け取った欠陥の中からレビュー対象欠陥を選択するための選択条件を入力し、該入力した選択条件に基いてレビュー対象欠陥数を決定し、該決定した数のレビューすべき欠陥を他の欠陥と区別して画面上に表示することを特徴とする欠陥検査方法。

IPC (3)：

G01N 21/956 ,  G06T 1/00 305 ,  H01L 21/66

FI (3)：

G01N 21/956 A ,  G06T 1/00 305 A ,  H01L 21/66 J

F-Term (31)：

2G051AA51 ,  2G051AB02 ,  2G051AC02 ,  2G051CA04 ,  2G051CB01 ,  2G051CB05 ,  2G051EA02 ,  2G051EA12 ,  2G051EA16 ,  2G051EC01 ,  2G051EC02 ,  2G051ED13 ,  4M106AA01 ,  4M106CA40 ,  4M106CA41 ,  4M106CA45 ,  4M106CA46 ,  4M106DB04 ,  4M106DB05 ,  4M106DB18 ,  4M106DB30 ,  4M106DJ20 ,  4M106DJ21 ,  4M106DJ26 ,  5B057AA03 ,  5B057BA24 ,  5B057CA12 ,  5B057CB12 ,  5B057CH01 ,  5B057DA03 ,  5B057DA16

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 特開平3-44054号公報
  
• プロセス管理システム
  Gazette classification：再公表公報   Application number：JP1997000898   Applicant：株式会社日立製作所, 日立計測エンジニアリング株式会社

Cited by examiner (1)

• パターン検査方法及びパターン検査装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-343094   Applicant：株式会社日立製作所, 日立東京エレクトロニクス株式会社