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J-GLOBAL ID：200903037815503313

ホスホン酸ジエステル誘導体

Inventor： 宮田 一義 ,  堺 恭大 ,  友安 崇浩 ,  黒田 晃功 ,  井上 泰秀 ,  萩 彰文 ,  三木 新也 ,  吉永 至宏 ,  土居 雅子 ,  津田 可彦
Applicant, Patent owner： 株式会社大塚製薬工場
Agent (1)： 三枝 英二 (外8名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002146785
Publication number (International publication number)：2003335790
Application date： May. 21, 2002
Publication date： Nov. 28, 2003
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】医薬品有効成分としての新規化合物を提供する。【解決手段】一般式[式中、AはC-R1またはNを示す。R1は置換フェニル基またはピリジル基を示す。BはAがC-R1のときNを示し、AがNのときC-COR2を示す。R2は低級アルコキシ基または低級アルキルアミノ基を示す。R3はAがC-R1のとき低級アルキル基、シアノ基、ハロゲノフェニル基、低級アルコキシカルボニル基、カルボキシル基、カルバモイル基、ヘテロ環カルボニル基等を示し、AがNのときフェニルアミノ基、フェニル低級アルキルアミノ基またはベンゾイルアミノ基を示す。R4は低級アルキル基を示す。但し、R3が低級アルキル基およびハロゲノフェニル基の時、R1はハロゲノまたは低級アルキルフェニル基であってはならない。]で表されるホスホン酸ジエステル誘導体、および該誘導体を有効成分として含有するACAT-1阻害剤。

Claim (excerpt)：

一般式【化1】[式中、AはC-R1またはNを示す。R1はフェニル環上にハロゲン原子、低級アルキル基または低級アルキルスルホニル基を有することのあるフェニル基またはピリジル基を示す。BはAがC-R1のときNを示し、AがNのときC-COR2を示す。R2は低級アルコキシ基または低級アルキルアミノ基を示す。R3はAがC-R1のとき低級アルキル基、シアノ基、フェニル環上にハロゲン原子を有するフェニル基、低級アルコキシカルボニル基、カルボキシル基、フェニルカルバモイル基、低級アルキルカルバモイル基、N,N-ジ低級アルキルカルバモイル基、フェニル低級アルキルカルバモイル基、ピロリジノカルボニル基、N-低級アルキルピペラジノカルボニル基またはモルホリノカルボニル基を示し、AがNのときフェニルアミノ基、フェニル低級アルキルアミノ基またはベンゾイルアミノ基を示す。R4は低級アルキル基を示す。但し、R3が低級アルキル基およびフェニル環上にハロゲン原子を有することのあるフェニル基の時、R1はフェニル環上にハロゲン原子または低級アルキル基を有することのあるフェニル基であってはならない。]で表されるホスホン酸ジエステル誘導体。

IPC (5)：

C07F 9/6539 ,  A61K 31/662 ,  A61P 3/06 ,  A61P 9/10 101 ,  A61P 43/00 111

FI (5)：

C07F 9/6539 ,  A61K 31/662 ,  A61P 3/06 ,  A61P 9/10 101 ,  A61P 43/00 111

F-Term (15)：

4C086AA01 ,  4C086AA02 ,  4C086AA03 ,  4C086DA36 ,  4C086DA37 ,  4C086DA38 ,  4C086MA01 ,  4C086MA04 ,  4C086NA14 ,  4C086ZA45 ,  4C086ZC20 ,  4C086ZC33 ,  4H050AA01 ,  4H050AA03 ,  4H050AB27

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• ホスホン酸ジエステル誘導体
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-143237   Applicant：株式会社大塚製薬工場
• ホスホン酸ジエステル誘導体
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-330166   Applicant：株式会社大塚製薬工場
• 特開平3-109393