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J-GLOBAL ID：200903037818389058

不揮発性強誘電体薄膜メモリのパターン形成方法

Inventor： 厚木 勉 ,  曽山 信幸 ,  米澤 政 ,  内田 寛人 ,  小木 勝実
Applicant, Patent owner： 三菱マテリアル株式会社
Agent (1)： 重野 剛
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994100931
Publication number (International publication number)：1995307444
Application date： May. 16, 1994
Publication date： Nov. 21, 1995
Summary：

【要約】【目的】 不揮発性を有する高特性強誘電体薄膜メモリのパターンを容易かつ効率的に形成する。【構成】 基板上に少なくとも加水分解性金属化合物と、活性線の照射により水を遊離する感光剤とを含有する組成物を塗布した後、所定のパターンに従って活性線を照射して画像形成露光し、次いで、溶媒で現像して未露光部を除去した後、熱処理して露光部の膜を下記一般式(I)の金属酸化物よりなる誘電体に変換させる。(Bi2 O2 )2+(Am-1 Bm O3m+1)2- ...(1)((I)式中、AはBa,Sr,Pb及びBiよりなる群から選ばれる 1種又は2種以上、BはTi,Nb及びTaよりなる群から選ばれる 1種又は2種以上、mは2〜5の整数を示す。)【効果】 ゾルーゲル法を利用して、製造工程の短縮化と高能率化が図れる。

Claim (excerpt)：

基板上に、下記一般式(I)で表される誘電体よりなる不揮発性強誘電体薄膜メモリのパターンを形成する方法において、基板上に、少なくとも加水分解性金属化合物と活性線の照射により水を遊離する感光剤とを含有する組成物を塗布した後、所定のパターンに従って活性線を照射して画像形成露光し、次いで、溶媒で現像して未露光部を除去した後、熱処理して露光部の膜を金属酸化物よりなる誘電体に変換させ、これによりパターンを形成することを特徴とする不揮発性強誘電体薄膜メモリのパターン形成方法。 (Bi2 O2 )2+(Am-1 Bm O3m+1)2- ...(1)((I)式中、AはBa,Sr,Pb及びBiよりなる群から選ばれる1種又は2種以上、BはTi,Nb及びTaよりなる群から選ばれる1種又は2種以上、mは1〜5の整数を示す。)

IPC (2)：

H01L 27/10 451 ,  H01L 27/10 421