Pat

J-GLOBAL ID：200903037834273884

シリコンウエーハ

Inventor： 加藤 正弘 ,  玉塚 正郎 ,  今井 修 ,  木村 明浩 ,  吉田 知佐
Applicant, Patent owner： 信越半導体株式会社
Agent (1)： 好宮 幹夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999057738
Publication number (International publication number)：2000256092
Application date： Mar. 04, 1999
Publication date： Sep. 19, 2000
Summary：

【要約】【課題】 熱処理による空洞欠陥の低減効果をより深い領域まで拡大するのに適したシリコンウエーハを得る。【解決手段】 CZシリコンウエーハであって、その内部に棒状の空洞欠陥および/または板状の空洞欠陥を含むシリコンウエーハ。およびCZシリコンウエーハであって、その内部に空洞欠陥を含み、任意の{110}面に投影された該空洞欠陥像に外接する任意の長方形における、長い辺の長さL1と短い辺の長さL2との比(L1/L2)の最大値が2.5以上であるシリコンウエーハ。およびウエーハ内部に棒状の空洞欠陥および/または板状の空洞欠陥を含むシリコンウエーハであって、ウエーハ表面から少なくとも0.5μmの深さにわたり空洞欠陥がウエーハ内部の1/2以下の密度であるシリコンウエーハ。

Claim (excerpt)：

チョクラルスキー法により引上げられたシリコン単結晶棒をウエーハに加工して得られたシリコンウエーハであって、その内部に棒状の空洞欠陥および/または板状の空洞欠陥を含むことを特徴とするシリコンウエーハ。

F-Term (16)：

4G077AA02 ,  4G077AB01 ,  4G077BA04 ,  4G077CF05 ,  4G077EB05 ,  4G077EC10 ,  4G077EH09 ,  4G077FE11 ,  4G077FE14 ,  4G077FG11 ,  4G077FG16 ,  4G077GA02 ,  4G077GA06 ,  4G077GA10 ,  4G077HA12 ,  4G077PB05