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J-GLOBAL ID：200903037848437812

半導体レーザ及びその製造方法

Inventor： 堀川 英明 ,  上條 健
Applicant, Patent owner： 沖電気工業株式会社
Agent (1)： 清水 守 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992225546
Publication number (International publication number)：1994077588
Application date： Aug. 25, 1992
Publication date： Mar. 18, 1994
Summary：

【要約】【目的】 横モードの安定した高出力動作する光増幅器用ポンビング光源として好適な半導体レーザを提供する。【構成】 n型GaAs基板1上に形成されるn型GaAsバッファ層2と、その上に形成されるn型AlGaAsクラッド層3と、その上に形成されるGaAs層/InGaAs層/GaAs層からなる歪み量子井戸活性層Aと、その上に形成されるAlGaAs光閉じ込め層7と、その上に形成されるInGaPクラッド層8と、その上に選択的にエッチングされたストライプ状のエッチング部を有するGaAsエッチングストップ層9と、その上に形成され、ストライプ状の溝が形成されるn型InGaP電流ブロック層10と、その上に形成されるp型GaAsバッファ層11と、その上に形成されるp型AlGaAsクラッド層12と、その上に形成されるp型GaAsコンタクト層13とを設けるようにしたものである。

Claim (excerpt)：

(a)第1導電型GaAs基板上に形成される第1導電型GaAsバッファ層と、(b)該バッファ層上に形成される第1導電型AlGaAsクラッド層と、(c)該クラッド層上に形成されるGaAs層/InGaAs層/GaAs層からなる歪み量子井戸活性層と、(d)該活性層上に形成されるAlGaAs光閉じ込め層と、(e)該光閉じ込め層上に形成されるInGaPクラッド層と、(f)該クラッド層上に選択的にエッチングされたストライプ状のエッチング部を有するGaAsエッチングストップ層と、(g)該エッチングストップ層上に形成され、ストライプ状の溝が形成される第1導電型InGaP電流ブロック層と、(h)その上に形成される第2導電型GaAsバッファ層と、(i)該バッファ層上に形成される第2導電型AlGaAsクラッド層と、(j)該クラッド層上に形成される第2導電型GaAsコンタクト層とを具備することを特徴とする半導体レーザ。