Pat

J-GLOBAL ID：200903037850458592

薄膜トランジスタの製造方法および液晶表示装置

Inventor： 吉岡 達男 ,  筒 博司 ,  川村 哲也 ,  前川 茂樹
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 森本 義弘
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996045264
Publication number (International publication number)：1997246554
Application date： Mar. 04, 1996
Publication date： Sep. 19, 1997
Summary：

【要約】【課題】 光電流の発生を抑えるための金属薄膜による遮光層を有する薄膜トランジスタの製造方法とその薄膜トランジスタを用いた液晶表示装置を提供する。【解決手段】 ガラス基板101の上に形成した遮光用金属薄膜102をマスクにして、上部に形成した多結晶シリコン薄膜105を裏面露光によりパターニングして半導体層を形成する。この薄膜トランジスタを用いて投射型の液晶表示装置を構成する。

Claim (excerpt)：

透光性基板の上に金属薄膜を所定の形状に形成する第1の工程と、前記金属薄膜の上に絶縁性薄膜を堆積する第2の工程と、前記絶縁性薄膜の上に非晶質シリコン薄膜を堆積する第3の工程と、前記非晶質シリコン薄膜を多結晶シリコン薄膜にする第4の工程と、前記多結晶シリコン薄膜の上にレジストを塗布し基板裏面から露光し現像する第5の工程と、パターンを形成した前記レジストで多結晶シリコン薄膜をパターニングする第6の工程とを少なくとも有する薄膜トランジスタの製造方法。

IPC (4)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 27/12

FI (4)：

H01L 29/78 627 C ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 27/12 Z ,  H01L 29/78 616 N

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開平2-250037
  
• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-074135   Applicant：シャープ株式会社