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J-GLOBAL ID：200903037854310123
半導体レーザ装置
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993230040
Publication number (International publication number)：1995086695
Application date： Sep. 16, 1993
Publication date： Mar. 31, 1995
Summary：
【要約】【目的】 波長の制御が容易なGaInAsの歪み量子井戸構造を用いて、しきい値が低く、かつ素子特性の温度依存性を小さくすることのできる半導体レーザ装置を提供することにある。【構成】 GaInAsP障壁層13aとGaInAs井戸層13bを積層した歪み量子井戸構造からなる活性層13をn型InPクラッド層11及びp型InPクラッド層15で挟み、さらに活性層13と各クラッド層11,15との間にGaInAsP光ガイド層12,14を挿入した半導体レーザ装置において、活性層13は有機金属気相成長法で形成されており、かつ活性層13及び光ガイド層14に不純物としてSiを添加し、このSiの濃度を1×1016cm-3〜5×1017cm-3に設定したことを特徴とする。
Claim (excerpt)：
GaInAsの歪み量子井戸構造からなる活性層をp型及びn型のクラッド層で挟んだ半導体レーザ装置であって、前記活性層は気相成長法で形成されており、かつ前記活性層又は前記活性層とp型クラッド層の間に設けられた光ガイド層の少なくとも一部で、不純物としてのSiの濃度を1×1016cm-3〜5×1017cm-3に設定してなることを特徴とする半導体レーザ装置。
IPC (2)：
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (7)
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