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J-GLOBAL ID：200903037864229871

炭素ナノ構造体を製造するシステムおよび方法

Inventor：
アヴェティック ハルチュンヤン

About アヴェティック ハルチュンヤン


Applicant, Patent owner：
本田技研工業株式会社

About 本田技研工業株式会社


Agent (1)： 磯野 道造
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2006542059
Publication number (International publication number)：2007515369
Application date： Dec. 02, 2004
Publication date： Jun. 14, 2007
Summary：
炭素ナノ構造体を大量合成する方法、工程、装置が提供される。小さな粒径と狭い粒径分布を有する金属触媒を調製し、エーロゾルとして反応器に連続的に注入する。金属触媒は実質的に炭素を含まない支持体上に担持される。反応器は、反応時間ならびに反応物質と反応器の壁との接触が制御可能なように、ガス流を制御できるようになっている。単層カーボンナノチューブを大量に高収率で合成することができる。
Claim (excerpt)：
金属ナノ粒子の触媒を供給し; 不活性ガスに前記触媒を取り込んで運搬し;さらに 炭素ナノ構造体を形成するのに十分な温度で前記運搬された触媒を炭素前駆ガスに接触させる ことを含む炭素ナノ構造体の合成方法。
IPC (3)：
C01B 31/02 ,  B01J 23/745 ,  B01J 35/02
FI (3)：
C01B31/02 101F ,  B01J23/74 301M ,  B01J35/02 H
F-Term (44)：
4G146AA12 ,  4G146BA09 ,  4G146BA12 ,  4G146BB22 ,  4G146BC01 ,  4G146BC08 ,  4G146BC22 ,  4G146BC23 ,  4G146BC25 ,  4G146BC29 ,  4G146BC33A ,  4G146BC33B ,  4G146BC43 ,  4G146BC44 ,  4G146BC46 ,  4G146BC48 ,  4G146DA03 ,  4G146DA23 ,  4G146DA25 ,  4G146DA40 ,  4G169AA03 ,  4G169AA08 ,  4G169AA12 ,  4G169BA01A ,  4G169BA01B ,  4G169BA02A ,  4G169BA06A ,  4G169BA07A ,  4G169BB02A ,  4G169BB02B ,  4G169BC59A ,  4G169BC66A ,  4G169BC66B ,  4G169BC67A ,  4G169BC68A ,  4G169CB81 ,  4G169DA08 ,  4G169EA02X ,  4G169EA02Y ,  4G169EB18X ,  4G169EB18Y ,  4G169FA01 ,  4G169FA02 ,  4G169FB14
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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Article cited by the Patent：
Cited by examiner (1)

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