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J-GLOBAL ID：200903037874878843

光電変換素子

Inventor： 舟木 英之 ,  鎌田 敦之
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 外川 英明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996273405
Publication number (International publication number)：1998125940
Application date： Oct. 16, 1996
Publication date： May. 15, 1998
Summary：

【要約】【課題】 非晶質半導体を用いた場合の交換効率を向上させる。【解決手段】 p型a-SiC層、i型a-Si層、n型a-Si層を積層した構造において、p型a-SiC層にNd、Er等の希土類金属元素を含有させる。

Claim (excerpt)：

非晶質あるいは結晶質の第1導電型半導体層と、前記第1導電型半導体層上に形成され希土類金属元素を含有する非晶質の第2導電型半導体層とを備えたことを特徴とする光電変換素子。