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J-GLOBAL ID：200903037881474243

高分子複合材料の成形方法および磁場配向プレス成形装置

Inventor：
飛田 雅之

About 飛田 雅之


Applicant, Patent owner：
ポリマテック株式会社

About ポリマテック株式会社


Agent (1)： 松田 省躬
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998318215
Publication number (International publication number)：2000141505
Application date： Nov. 09, 1998
Publication date： May. 23, 2000
Summary：
【要約】【課題】 高い熱伝導性や電気伝導性、誘電性などの特定の物理的性質を有する充填材に強磁性体を被覆した充填材や、磁性が弱い充填材を使用する場合でも、強磁性体を十分に配向させる。【解決手段】 磁性充填材と高分子材料を混合した高分子複合材料を、振動機構を備える成形金型内に充填し、磁場雰囲気で成形する。
Claim (excerpt)：
磁性充填材と高分子材料を混合した高分子複合材料を、振動機構を備える成形金型内に充填し、磁場雰囲気で成形することを特徴とする高分子複合材料の成形方法。
IPC (2)：
B29C 70/58 ,  B29K505:00
F-Term (29)：
4F205AA33 ,  4F205AA45 ,  4F205AB13 ,  4F205AC05 ,  4F205AD03 ,  4F205AD05 ,  4F205AD16 ,  4F205AG01 ,  4F205AJ11 ,  4F205AM29 ,  4F205HA08 ,  4F205HA17 ,  4F205HA25 ,  4F205HA32 ,  4F205HA35 ,  4F205HA36 ,  4F205HA39 ,  4F205HA42 ,  4F205HB01 ,  4F205HC17 ,  4F205HF01 ,  4F205HF23 ,  4F205HF30 ,  4F205HK04 ,  4F205HK05 ,  4F205HK27 ,  4F205HK28 ,  4F205HK31 ,  4F205HM07
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
  • 特開昭63-111038
  • 特開昭63-295751
  • 特開昭63-111039
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