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J-GLOBAL ID：200903037900147305

半導体装置およびその製造方法とアクティブマトリックスアレイ基板およびそれを用いた液晶表示装置

Inventor： 古田 守
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 宮井 暎夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996058918
Publication number (International publication number)：1997252136
Application date： Mar. 15, 1996
Publication date： Sep. 22, 1997
Summary：

【要約】【課題】 pチャネルとnチャネルのTFT(薄膜トランジスタ)を同一基板に形成する際に、不純物の注入時間を短縮し、スループットを向上させる。【解決手段】 基板11上に多結晶シリコン薄膜13を形成した後、酸化シリコン薄膜14aと窒化シリコン薄膜14bからなるゲート絶縁膜14を形成する。pチャネルTFTのゲート電極15Aを形成し、nチャネルTFT側はゲート電極材料15で被覆する。pチャネルTFTへホウ素イオンを注入する。nチャネルTFT側において、ゲート電極15Bを形成し、上層のゲート絶縁膜14である窒化シリコン薄膜14bを部分的に除去した後、燐イオンを注入する。このときpチャネルTFTでは、2層からなるゲート絶縁膜14を通して燐イオンが注入されることになり、注入される燐濃度を低減できる。このため、ホウ素イオンの注入量を燐イオンの2倍程度に減少でき、ホウ素イオンの注入時間を削減できる。

Claim (excerpt)：

同一基板上に、ソース・ドレイン領域およびチャネル領域となる多結晶シリコン薄膜を形成し、前記多結晶シリコン薄膜上にゲート絶縁膜を介してゲート電極を形成した第1および第2の導電型チャネルの薄膜トランジスタからなる半導体装置であって、前記第1の導電型チャネルの薄膜トランジスタのゲート絶縁膜は、ソース・ドレイン領域上を被覆するように異種材料を積層した多層構造のゲート絶縁膜からなり、前記第2の導電型チャネルの薄膜トランジスタのゲート絶縁膜は、前記第1の導電型チャネルの薄膜トランジスタと同種の多層構造のゲート絶縁膜からなり、かつ、前記第2の導電型チャネルの薄膜トランジスタのゲート絶縁膜の多層構造のうち少なくとも最上層のソース・ドレイン領域上における少なくとも一部を除去したことを特徴とする半導体装置。

IPC (4)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/265

FI (7)：

H01L 29/78 617 V ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/265 H ,  H01L 29/78 612 B ,  H01L 29/78 616 A ,  H01L 29/78 616 L ,  H01L 29/78 617 A