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J-GLOBAL ID：200903037903976671

インジウムバンプの形成方法

Inventor： 富岡 孝忠
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 菅野 中
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991293354
Publication number (International publication number)：1993136147
Application date： Nov. 08, 1991
Publication date： Jun. 01, 1993
Summary：

【要約】【目的】 Inバンプにバリなどの突起やバンプ表面に凹凸のない、形状の均一なInバンプを得る。【構成】 半導体基板1上にレジストでパターンを形成し、InにInより低融点の物質を添加し、低融点化したIn金属材料4を蒸着し、その後不活性ガス中でアニール処理を行い、蒸着したIn金属材料4の層を融かす。その後リフトオフし、Inバンプ5を得る。【効果】 アニール処理を行うことにより、蒸着したIn金属層が融けて、レジスト面上と金属パッド面上にIn金属が分かれ、リフトオフが容易になる。また、In金属層が溶融したことにより、In金属層の表面が滑らかになり、バリ及びバンプ表面に凹凸の無い滑らかで形状の整ったInバンプが得られる。

Claim (excerpt)：

半導体基板上にレジストでパターンを形成し、インジウムを蒸着した後、リフトオフ法によりインジウムバンプを形成する方法であって、前記インジウムにインジウムより低融点の物質を添加したインジウムを蒸着し、前記リフトオフを行う前に不活性ガス雰囲気中で、前記低融点の物質を添加したインジウムの融点より高い温度範囲でアニール処理を行う工程を含むことを特徴とするインジウムバンプの形成方法。

IPC (2)：

H01L 21/321 ,  H01L 27/146

FI (3)：

H01L 21/92 F ,  H01L 21/92 D ,  H01L 27/14 F