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J-GLOBAL ID：200903037905708933

半導体レーザ素子の製造方法

Inventor： 常包 正樹
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 本庄 伸介
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991351928
Publication number (International publication number)：1993167186
Application date： Dec. 13, 1991
Publication date： Jul. 02, 1993
Summary：

【要約】【目的】 高出力で安定して動作する半導体レーザ素子を提供する。【構成】 本発明は量子井戸を活性層とする半導体レーザにおいて、Alを含んだ半導体層上にSiO2 膜を堆積させた領域1を形成した後、800°C以上の高温で保持し、領域1下の量子井戸を無秩序化させ、その無秩序化させた領域に於てレーザ素子の共振器の反射面を構成することにより、無秩序化された共振器面を含む領域の活性層が、レーザ素子の反射器面近傍を除く、無秩序化していないレーザ素子の中央部分の活性層に比べ、実効的に大きなエネルギーギャップを有し、反射面近傍に於けるレーザ発振光の吸収を少なくすることにより、従来のレーザ素子より高い出力で安定して動作する半導体レーザ素子の、簡便で生産性の高い製造方法を提供するものである。

Claim (excerpt)：

量子井戸を活性層とする半導体レーザにおいて、AlをIII族元素の混晶比で50%以上含んだ半導体層上にSiO2 膜を堆積させた領域1を形成した後、800°C以上の高温で保持し、領域1下の量子井戸を無秩序化させ、その無秩序化させた領域に於てレーザ素子の共振器面を構成することにより、無秩序化された共振器面を含む領域の活性層が、レーザ素子の共振器面近傍を除く無秩序化していないレーザ素子の中央部分の活性層に比べ、実効的に大きなエネルギーギャップを有するようにすることを特徴とする半導体レーザ素子の製造方法。