ドライエッチング方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：田治米登 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996358736
Publication number (International publication number)：1998189537
Application date： Dec. 26, 1996
Publication date： Jul. 21, 1998
Summary：

【要約】【課題】シリコン化合物層、特に、SiOF膜に代表される低誘電率層間絶縁膜を高異方性及び高選択性でドライエッチングできるようにする。【解決手段】シリコン化合物層をドライエッチングする際に、クリプトン、キセノン及びラドンからなる群より選択される少なくとも1種類の不活性ガスを含有するエッチングガスを用いる。この場合、オーバーエッチング時に、クリプトン、キセノン及びラドンからなる群より選ばれる少なくとも1種類の不活性ガスに代えて、比較的質量の小さいアルゴン、ネオン及びヘリウムのからなる群より選択される少なくとも一種類の不活性ガスを使用することが好ましい。エッチングガスに、放電解離条件下のプラズマ中で遊離の硫黄を生成し得る硫黄系化合物を含有させると好ましい。

Claim (excerpt)：

シリコン化合物層をドライエッチングする際に、クリプトン、キセノン及びラドンからなる群より選択される少なくとも1種類の不活性ガスを含有するエッチングガスを用いることを特徴とするドライエッチング方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

表面処理方法および表面処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-144862 Applicant：株式会社東芝
酸化シリコン系材料層のプラズマエッチング方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-029174 Applicant：ソニー株式会社
プラズマエッチング方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-123496 Applicant：株式会社日立製作所

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