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J-GLOBAL ID：200903037908597520
超微粒子膜パターンの形成方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
中野 雅房
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992269549
Publication number (International publication number)：1994093418
Application date： Sep. 11, 1992
Publication date： Apr. 05, 1994
Summary：
【要約】【目的】 ノズルと対象物の相対位置を高精度に移動させる必要がなく、且つ微細ピッチの超微粒子膜パターンを形成することができ、超微粒子膜パターンの形状を精密にコントロールできるようにする。【構成】 回路基板5をマスク4aで覆う。ノズル1の噴出口1aをマスク4aの開口部24aに対向させる。開口部24aを通して回路基板5に超微粒子2を吹き付け、超微粒子膜3aを形成する。ノズル1を移動させ、噴出口1aを別な開口部24bに対向させる。再度超微粒子2を吹き付けて超微粒子膜3bを形成する。
Claim (excerpt)：
ガスデポジション法による超微粒子膜パターンの形成方法であって、対象物をマスクで覆い、当該マスクの上方から対象物に向けて超微粒子を吹き付け、前記マスクの開口部を通して対象物の表面に超微粒子膜を付着させることを特徴とする超微粒子膜パターンの形成方法。
IPC (3)：
C23C 14/04
, C23C 14/24
, H05K 3/14
