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J-GLOBAL ID：200903037908877248
半導体発光素子
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
稲垣 清 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997008191
Publication number (International publication number)：1998209571
Application date： Jan. 21, 1997
Publication date： Aug. 07, 1998
Summary：
【要約】【課題】 半導体発光素子の活性層からクラッド層に電子がオーバーフローする電子のオーバーフロー問題を解決する。【解決手段】 650nm帯(可視光)及び1300nm帯(赤外光)の半導体レーザの活性層13にAlGaInNP混晶を使用する。Nの比率は、650nm帯レーザでは3%以下、1300nm帯レーザでは5〜10%とする。Nの比率を変化させると、伝導帯のバンドの不連続エネルギー量ΔEcが大きくなり、電子障壁が大きくなることで、活性層13からpクラッド層12、14への電子のオーバーフローが抑制される。
Claim (excerpt)：
活性層がAlGaInNP混晶を含むことを特徴とする半導体発光素子。
IPC (2)：
FI (2)：
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