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J-GLOBAL ID：200903037920101450

半導体チップのワイヤボンディング方法

Inventor： 花田 信一 ,  向山 光一郎
Applicant, Patent owner： 田中電子工業株式会社
Agent (1)： 早川 政名
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995204303
Publication number (International publication number)：1997051011
Application date： Aug. 10, 1995
Publication date： Feb. 18, 1997
Summary：

【要約】【課題】簡単な装置によって高速で量産出来るボールボンディングを採用し、且つ半導体装置の薄肉化、多ピン化に伴い長ループになっても樹脂モールドの際のワイヤ流れの抑制への対応として、ループ高さを低くしてループを形成することが出来る半導体チップのワイヤボンディング方法を提供する。【解決手段】ワイヤ先端に形成したボールを半導体チップ1上の電極2に圧着し(第1ボンディング)、次に前記ボール形成により生じた熱影響部4を含むワイヤ5の側面を圧着ボール3’の上に圧着し(第2ボンディング)、さらに該第2ボンディング点から離れた位置のワイヤ5側面を外部リード6上に圧着する(第3ボンディグ)。

Claim (excerpt)：

半導体チップと外部リードとをワイヤボンディングするに際して、ワイヤ先端にボールを形成し、該ボールを半導体チップ上の電極に圧着する第1ボンディングと、前記ボール形成により生じた熱影響部を含むワイヤの側面を圧着ボールの上に圧着する第2ボンディングと、該第2ボンディング点から離れた位置のワイヤ側面を外部リード上に圧着する第3ボンディグを含むことを特徴とする半導体チップのワイヤボンディング方法。