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J-GLOBAL ID:200903037921103600

半導体集積回路装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 恩田 博宣
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1994169738
Publication number (International publication number):1996037284
Application date: Jul. 21, 1994
Publication date: Feb. 06, 1996
Summary:
【要約】【目的】 保護回路を構成する素子における正・負の両極性の過電圧に対して破壊耐量の低下を回避できる半導体集積回路装置を提供することにある。【構成】 内部回路1のC-MOSインバータ2の入力端子と、入力パッド7との間には保護回路8が配置されている。保護回路8は、保護抵抗9と、PチャネルMOSFET10とNチャネルMOSFET11から構成されている。接続線12と接地端子13との間にMOSFET10が配置され、このMOSFET10のゲート端子は接続線12と接続されている。接続線12と接地端子14との間にMOSFET11が配置され、このMOSFET11のゲート端子は接続線12と接続されている。PチャネルMOSFET10は負の極性の外部からの過電圧に対してオン電流によって過電圧を放散させ、NチャネルMOSFET11は正の極性の外部からの過電圧に対してオン電流によって過電圧を放散させる。
Claim (excerpt):
半導体基板上の絶縁体層を介した半導体層に形成された半導体集積回路と、前記半導体集積回路と外部接続端子との間に設けられ保護回路とを備えた半導体集積回路装置において、前記保護回路を、少なくとも、負の極性の外部からの過電圧を放散させる第1の電流経路を有する第1の素子と、正の極性の外部からの過電圧を放散させる第2の電流経路を有する第2の素子にて構成したことを特徴とする半導体集積回路装置。
IPC (5):
H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 23/62 ,  H01L 21/8234 ,  H01L 27/088
FI (3):
H01L 27/04 H ,  H01L 23/56 A ,  H01L 27/08 102 F

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