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J-GLOBAL ID：200903037923854726

短波長紫外線に感光するポジ型フォトレジスト組成物

Inventor： サブハンカー、チャタージー
Applicant, Patent owner： ヘキスト・セラニーズ・コーポレーション
Agent (1)： 佐藤 一雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992185985
Publication number (International publication number)：1994043650
Application date： Jun. 19, 1992
Publication date： Feb. 18, 1994
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】多成分で高コンラスト、高感度、及び高解像度をしめし、ポジ型短波長紫外線フォトレジストで問題となっているT字型の断面を形成することなしに、紫外線、特に200nmから350nmの波長域の紫外線で露光可能なポジ型フォトレジストを提供する。【構成】a)潜伏性光酸1〜25%、b)フィルム形成ポリマー10〜40%、c)下記の構造式をもつ有機添加物1〜40%、およびd)適当な溶媒の混合物からなるポジ型フォトレジスト組成物。このポジ型フォトレジスト組成物を基板に塗布することにより、半導体デバイスを製造する方法。

Claim (excerpt)：

a)潜伏性光酸1〜25%、b)フィルム形成ポリマー10〜40%、c)下記の構造式をもつ有機添加物1〜40%、及びd)適当な溶媒の混合物からなるポジ型フォトレジスト組成物。【化1】R1 及びR2 は、フェニル、置換フェニル、又はアルキル(CN H2N+1、Nは、好ましくは1、2又は3)を表し、R3 及びR4 は、アルキル(CN H2N+1)、炭素原子を好ましくは4個から10個もつシクロアルキル、-CN、-NO2、ハロゲン原子、-CX3 (ここで、Xは、ハロゲン原子を表す)、-SO3 -R5 、ここで、R5は、H、-CX3 、-PO3 ,又はここで、R6 は、アルキル(CN H2N+1)フェニル、ナフチル、アンスリル、又はR3 、R4 、及びR5 のうちの一つまたはそれ以上の基により置換されたアンスリルを表す、【化2】ここで、R7 、R8 及びR9 は、R3 、R4 、又はR5 のいずれかの基であってよい

IPC (5)：

G03F 7/039 501 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/029 ,  G03F 7/037 501 ,  H01L 21/027