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J-GLOBAL ID：200903037934030873

半導体装置

Inventor： 島田 雅夫
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 内原 晋
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991186018
Publication number (International publication number)：1993029506
Application date： Jul. 25, 1991
Publication date： Feb. 05, 1993
Summary：

【要約】【目的】高周波高出力用FETチップの放熱特性を向上するために設けられた厚い裏面金属層による“そり”を軽減する。【構成】表面に半導体素子が形成された半導体基板1の裏面に、2つ以上の領域に分割して互いに間隙15を隔てて厚いAu膜3が形成されている半導体チップ。【効果】厚い裏面金属膜を島状に分割して、間隙を設けることにより個々の島領域のそり量を減少させて半導体チップのそり量を軽減できる。

Claim (excerpt)：

表面に半導体素子が形成された半導体基板の裏面に、2つ以上の領域に分割して互いに間隙を隔てて厚い金属層が形成されている半導体装置。

IPC (4)：

H01L 23/36 ,  H01L 23/373 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812

FI (3)：

H01L 23/36 Z ,  H01L 23/36 M ,  H01L 29/80 B