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J-GLOBAL ID：200903037953260723

反射防止膜形成用組成物および半導体装置の製造方法

Inventor： 岡本 秀仁
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 佐藤 隆久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000024834
Publication number (International publication number)：2001215694
Application date： Jan. 28, 2000
Publication date： Aug. 10, 2001
Summary：

【要約】【課題】光吸収性反射防止成分の凝集および沈降を抑制し、所望の反射防止効果やエッチング耐性を得ることができる反射防止膜形成用組成物と、これを用いた半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】半導体装置の製造において、レジスト膜よりも下層に設けられて、前記レジスト膜の下層側からの反射光を抑制する反射防止膜を形成する組成物であって、少なくとも置換型カリックスアレン誘導体を含む、あるいは、置換型カリックスアレン誘導体と置換型フラーレン誘導体の包接錯体を含む光吸収性反射防止成分を含有する反射防止膜形成用組成物とする。また、被処理基板上(10,11)に上記反射防止膜形成用組成物により反射防止膜13を形成し、その上層にレジスト膜12を形成し、パターン露光して現像する。

Claim (excerpt)：

半導体装置の製造において、レジスト膜よりも下層に設けられて、前記レジスト膜の下層側からの反射光を抑制する反射防止膜を形成する組成物であって、少なくとも置換型カリックスアレン誘導体を含む光吸収性反射防止成分を含有する反射防止膜形成用組成物。

IPC (6)：

G03F 7/004 506 ,  C09K 3/00 ,  G02B 1/11 ,  G03F 7/11 503 ,  G03F 7/40 521 ,  H01L 21/027

FI (6)：

G03F 7/004 506 ,  C09K 3/00 U ,  G03F 7/11 503 ,  G03F 7/40 521 ,  G02B 1/10 A ,  H01L 21/30 574

F-Term (22)：

2H025AA02 ,  2H025AA03 ,  2H025AA09 ,  2H025AA17 ,  2H025AB16 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025CB00 ,  2H025CC03 ,  2H025CC20 ,  2H025DA34 ,  2H025FA39 ,  2H025FA41 ,  2H096AA25 ,  2H096BA09 ,  2H096CA05 ,  2H096HA11 ,  2K009AA02 ,  2K009BB01 ,  2K009CC21 ,  2K009DD02 ,  5F046PA07