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J-GLOBAL ID：200903037959836708

半導体装置

Inventor： 大場 一之
Applicant, Patent owner： セイコーエプソン株式会社
Agent (1)： 鈴木 喜三郎 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995076686
Publication number (International publication number)：1996274164
Application date： Mar. 31, 1995
Publication date： Oct. 18, 1996
Summary：

【要約】【構成】導電配線間の接続に関し、接続孔の構造に特徴のある半導体装置。半導体基板上に第1絶縁膜104を形成する。その上に第2絶縁膜103を挟み、上層導電配線101及び下層導電配線102を形成する。このとき第1絶縁膜104上に接続孔部柱状構造形成膜を設け、フォト及びエッチング法により接続孔部柱状構造105を形成する。その後スパッタによりAl合金膜を被膜し、下層導電配線102を形成する。この結果、下層導電配線102の形状は、上層導電配線101に向けて凸の形状となる。【効果】導電配線間接続において、層間絶縁膜の厚さによらず接続孔での配線の被覆性を確保することができる。また低抵抗な配線間接続の形成を容易にし、接続部での信頼性の低下、断線などが防止できる。さらに層間絶縁膜を厚くでき、配線容量の低減が図れる。

Claim (excerpt)：

半導体基板上の第1絶縁膜上に形成された下層導電配線、前記下層導電配線上に形成された第2絶縁膜、前記第2絶縁膜上に形成された上層導電配線及び、前記上層、下層の導電配線を接続するための接続孔を有する半導体装置において、前記導電配線間の接続孔部は、前記第1絶縁膜上かつ前記下層配線の下に、柱状の構造を有することを特徴とする半導体装置。