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J-GLOBAL ID：200903037960336964

半導体装置およびその製造方法

Inventor： 金本 恭三 ,  塚田 紀昭
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 高田 守
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992070580
Publication number (International publication number)：1993275680
Application date： Mar. 27, 1992
Publication date： Oct. 22, 1993
Summary：

【要約】【目的】 MBE法による薄膜結晶成長中のInGaAs層からその上に成長させるGaAs層へのIn原子の混入を抑制し、またこの混入によって生じたポテンシャルのなまりを打ち消し、急峻なポテンシャル変化を実現する。【構成】 InGaAs層とその上に成長させるGaAs層との間に数分子層の厚みをもつAlAs層またはAlGaAs層を設ける

Claim (excerpt)：

Inを含むGaAs層とGaAs層の積層構造を有する半導体装置において、上記Inを含むGaAs層と上記GaAs層の間にAlAs層あるいはAlGaAs層を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (4)：

H01L 29/205 ,  H01L 21/203 ,  H01S 3/18 ,  H01L 21/20