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J-GLOBAL ID：200903037979063063

光起電力素子

Inventor： 斉藤 恵志 ,  青池 達行
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 若林 忠
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991158814
Publication number (International publication number)：1993013791
Application date： Jun. 28, 1991
Publication date： Jan. 22, 1993
Summary：

【要約】【目的】 従来の光起電力素子よりさらに優れた特性を有する光起電力素子を提供する。【構成】 不透明の導電性基板101上に、導電性の光反射層102、反射増加層103、n型の非単結晶シリコン系半導体層である第1の導電型層104、i型の非単結晶シリコン系半導体層であるi型層105、p型の非単結晶シリコン系半導体層である第2の導電型層106、酸化物で構成され、該酸化物中に窒素原子が含有されている透明電極107、および集電電極108が順次積層されて構成されている。

Claim (excerpt)：

導電性基板上に、少なくともシリコン原子を含有する非単結晶半導体材料からなるp型層、i型層、n型層、および透明電極を積層して構成される光起電力素子において、前記透明電極が酸化物で形成され、該酸化物中に窒素原子が含有されていることを特徴とする光起電力素子。

IPC (3)：

H01L 31/04 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/205

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭59-181064
  
• 特開昭57-042173
  
• 特開昭60-211987