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J-GLOBAL ID：200903037980275325

レジストパタ-ンの形成方法

Inventor： 岡本 和也 ,  多田 邦雄 ,  中野 義昭
Applicant, Patent owner： 株式会社ニコン
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991331713
Publication number (International publication number)：1994053122
Application date： Dec. 16, 1991
Publication date： Feb. 25, 1994
Summary：

【要約】【目的】アスペクト比の高いレジストパタ-ンを形成する。【構成】2光束干渉露光方式でフォトレジストにピッチ0.36μm以下の回折パタ-ンを露光し、現像することによりレジストパタ-ンを形成する。このときに、フォトレジストとして、G線におけるAパラメ-タが0.6以上でかつBパラメ-タが0.2以上のものを用いることにより、アスペクト比の高いレジストパタ-ンを得ることができる。

Claim (excerpt)：

2光束干渉露光方式でフォトレジストにピッチ0.36μm以下の回折格子パタ-ンを露光し、現像することによりレジストパタ-ンを形成する方法において、前記フォトレジストとしてG線におけるAパラメ-タが0.6以上でかつBパラメ-タが0.2以上のものを用いることを特徴とするレジストパタ-ンの形成方法。

IPC (4)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/20 505 ,  G03F 7/20 521 ,  G03F 7/26