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J-GLOBAL ID：200903037991979677

半導体ダイヤモンド及びその製造方法

Inventor： 柳生 博之
Applicant, Patent owner： 松下電工株式会社
Agent (1)： 石田 長七 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995059463
Publication number (International publication number)：1996259390
Application date： Mar. 17, 1995
Publication date： Oct. 08, 1996
Summary：

【要約】【目的】結晶性回復処理の効果を多大に促進させ、より結晶性の良好な半導体ダイヤモンド及びその製造方法を提供することを目的とする。【構成】ダイヤモンド結晶格子11の炭素原子の置換位置に入った触媒作用を持つ当該不純物元素原子12は結晶性回復処理の際に、自らが炭素原子の置換位置に戻り、その時に周囲の炭素原子や注入された不純物イオンの周囲のダイヤモンド様結合様式(sp3 結合)を回復させる。【効果】イオン注入等の外因的結晶欠陥の熱アニーリング等による回復処理を促進させることができて、結晶性が良好な半導体ダイヤモンドが得られる。

Claim (excerpt)：

ターゲット結晶への損傷を与えることが不可避である半導体用不純物元素の導入方法が用いられて製造される半導体ダイヤモンドにおいて、ダイヤモンド結晶中に、結晶内部に予め意図的に存在せしめられる炭素以外に、グラファイト様結合様式からダイヤモンド様結合様式への変換を助成、促進させ得る元素原子を混入させたことを特徴とする半導体ダイヤモンド。

IPC (4)：

C30B 29/04 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/265

FI (4)：

C30B 29/04 V ,  H01L 21/02 B ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/265 A