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J-GLOBAL ID：200903037998433874

微細パターンの形成方法

Inventor： 谷本 啓介
Applicant, Patent owner： シヤープ株式会社
Agent (1)： 西田 新
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991161347
Publication number (International publication number)：1993013384
Application date： Jul. 02, 1991
Publication date： Jan. 22, 1993
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 解像限界以下のパターン形成を行うことができる方法を提供する。【構成】 半導体基板1上にレジスト2を形成した後、そのレジスト2の所定部分を露光し、その後その露光したレジスト部分にシリル化層4aを形成した後、そのシリル化層4aを除く上記レジスト2をその途中までエッチングし、その後そのレジストおよび上記シリル化層4a上にCVD膜を堆積した後、そのCVD膜をエッチバックし、その後上記シリル化層側壁に残存する上記CVD膜をマスク3として、上記半導体基板1が露出するまで上記レジストをエッチングする工程を有する。

Claim (excerpt)：

半導体基板上にレジストを形成した後、そのレジストの所定部分を露光し、その後その露光したレジスト部分にシリル化層を形成した後、そのシリル化層を除く上記レジストをその途中までエッチングし、その後そのレジストおよび上記シリル化層上にCVD膜を堆積した後、そのCVD膜をエッチバックし、その後上記シリル化層側壁に残存する上記CVD膜をマスクとして、上記半導体基板が露出するまで上記レジストをエッチングする工程を有する微細パターンの形成方法

IPC (3)：

H01L 21/302 ,  G03F 7/26 ,  H01L 21/318