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J-GLOBAL ID：200903037999558913
半導体装置の製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
井桁 貞一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991172031
Publication number (International publication number)：1993021617
Application date： Jul. 12, 1991
Publication date： Jan. 29, 1993
Summary：
【要約】【目的】 半導体装置の製造方法に関し,配線間の容量を減らすため,そこに空洞を形成する方法の提供を目的とする。【構成】 半導体基板1表面に一様に形成される絶縁膜2表面に金属膜を被着形成した後パターニングして絶縁膜2表面の互いに離れた位置に第1の金属膜3a及び第2の金属膜3bを形成し,全面を覆う第1の絶縁膜4及び第1の絶縁膜4表面を覆いかつ表面が略平坦になる第2の絶縁膜5を被着形成し,第1の絶縁膜4を露出しかつ表面が略平坦になるように第2の絶縁膜5の全面をエッチバックし,第1の金属膜3a及び第2の金属膜3b間の第2の絶縁膜5表面を選択的に露出させる開孔6aを有し,全面に延在する第3の絶縁膜6を被着形成し,開孔6aから第2の絶縁膜5を選択的にエッチングして第3の絶縁膜6下面が露出する空洞8を形成した後全面に第4の絶縁膜9を被着して開孔6aを閉じ,閉じた空洞8aを形成するように構成する。
Claim (excerpt)：
半導体基板(1) 表面に一様に形成される絶縁膜(2)表面に金属膜を被着形成する工程と,次いで,該金属膜をパターニングすることにより,該絶縁膜(2) 表面の互いに離れた位置に,第1の金属膜(3a)及び第2の金属膜(3b)を形成する工程と,次いで,該第1の金属膜(3a)表面と該第2の金属膜(3b)表面と該絶縁膜(2) の露出した表面とをともに覆うように,第1の絶縁膜(4) を形成する工程と,次いで,該第1の絶縁膜(4) 表面を覆うように,かつ表面が略平坦になるように,第2の絶縁膜(5) を全面に被着形成する工程と,次いで,該第1の絶縁膜(4) を露出し,かつ表面が略平坦になるように,該第2の絶縁膜(5) の全面をエッチバックする工程と,次いで,該第1の金属膜(3a)及び該第2の金属膜(3b)間の該第2の絶縁膜(5)表面を選択的に露出させる開孔(6a)を有し,かつ該第1の絶縁膜(4) 表面から該第2の絶縁膜(5) 表面に延在する第3の絶縁膜(6) を被着形成する工程と,該開孔(6a)から該第2の絶縁膜(5) を選択的にエッチングして除去し,該第3の絶縁膜(6) 下面が露出する空洞(8) を形成した後,全面に第4の絶縁膜(9) を被着して該開孔(6a)を閉じ,閉じた空洞(8a)を形成する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2)：
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