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J-GLOBAL ID：200903038009924305

EL素子

Inventor： 水谷 厚司 ,  片山 雅之 ,  服部 有
Applicant, Patent owner： 日本電装株式会社
Agent (1)： 碓氷 裕彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995049680
Publication number (International publication number)：1996250282
Application date： Mar. 09, 1995
Publication date： Sep. 27, 1996
Summary：

【要約】【目的】 発光しきい電圧の変化の少ないEL素子を提供すること。【構成】 図1はEL素子100の断面図であり、ガラス基板11上に、順次、第1透明電極12、第1絶縁層12、発光層13、第2絶縁層、第2透明電極16が積層、配置されている。発光層13は、硫化亜鉛からなる母材に、Tb、O、Fの発光中心元素を添加して構成されている。ここで、F/Tbの原子比は0.05以上0.5未満に設定しており、又O/Tbの原子比は0.05以上0.5未満に設定してある。F/Tbの原子比を上記の如く設定するこにより、発光動作時間の経過による発光しきい電圧の変化量を大幅に低減でき、又このことから発光輝度の減少も低減できる。更にO/Tbの原子比を上記の如く設定することにより、発光層自体の絶縁破壊耐圧を向上することができる。

Claim (excerpt)：

絶縁性基板上に第1電極、第1絶縁層、発光層、第2絶縁層、第2電極を順次、積層し、少なくとも光取り出し側を光学的に透明な材料により構成してなるEL素子において、前記発光素子が、II-VI族化合物半導体よりなる母材に、テルビウム、酸素、及びハロゲン元素を添加して構成されており、且つ前記発光層中に含有される、前記テルビウムに対する前記ハロゲン元素の原子比(ハロゲン元素/テルビウム)が0.05以上0.5未満であることを特徴とするEL素子。

IPC (2)：

H05B 33/14 ,  C09K 11/56 CPC

FI (2)：

H05B 33/14 ,  C09K 11/56 CPC