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J-GLOBAL ID：200903038011920732

雑音フィルターおよびその製造方法

Inventor： 高橋 亮 ,  岩村 英俊 ,  河村 裕一
Applicant, Patent owner： 日本電信電話株式会社
Agent (1)： 谷 義一 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994061680
Publication number (International publication number)：1995270729
Application date： Mar. 30, 1994
Publication date： Oct. 20, 1995
Summary：

【要約】【目的】 光信号の雑音を低減する雑音フィルターにおいて、キャリア寿命を短くするとともに、可飽和吸収特性の感度を上げる。【構成】 多重量子井戸層として、従来の成長温度である500°Cより低温の150°C〜400°Cで、ドーパントとしてp型元素、特にBeを添加して、成長させた多重量子井戸層を用い、さらに、素子を反射型とする。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に光の過飽和吸収特性を有する多重量子井戸層が形成されてなる雑音フィルターにおいて、前記多重量子井戸層のキャリア寿命が100ピコ秒以下に設定されていることを特徴とする雑音フィルター。

IPC (2)：

G02F 1/015 505 ,  H01S 3/07