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J-GLOBAL ID：200903038013810993

窒化物半導体発光素子、光ピックアップ装置、および、発光装置

Inventor： 津田 有三 ,  伊藤 茂稔
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 深見 久郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000351003
Publication number (International publication number)：2002158405
Application date： Nov. 17, 2000
Publication date： May. 31, 2002
Summary：

【要約】【課題】 界面の急峻性を改善することにより、発光効率の高い窒化物半導体発光素子を提供する。【解決手段】 GaN<SB>1-x-y-z</SB>As<SB>x</SB>P<SB>y</SB>Sb<SB>z</SB>井戸層(0<x+y+z≦0.3)と、前記井戸層に接しInを含有する窒化物半導体障壁層と、を有して構成される発光層を有する窒化物半導体発光素子。

Claim (excerpt)：

GaN<SB>1-x-y-z</SB>As<SB>x</SB>P<SB>y</SB>Sb<SB>z</SB>井戸層(0<x+y+z≦0.3)と、前記井戸層に接しInを含有する窒化物半導体障壁層と、を有して構成される発光層を有する窒化物半導体発光素子。

IPC (5)：

H01S 5/343 ,  C30B 29/38 ,  G11B 7/125 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00

FI (5)：

H01S 5/343 ,  C30B 29/38 Z ,  G11B 7/125 A ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C

F-Term (48)：

4G077AA03 ,  4G077BE11 ,  4G077BE15 ,  4G077DB08 ,  4G077EF01 ,  4G077EF03 ,  4G077HA02 ,  5D119AA43 ,  5D119BA01 ,  5D119FA05 ,  5F041AA11 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CA76 ,  5F041CA82 ,  5F041CA88 ,  5F041CA92 ,  5F041FF01 ,  5F041FF16 ,  5F045AA02 ,  5F045AA04 ,  5F045AA05 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC19 ,  5F045AD09 ,  5F045AD12 ,  5F045AD14 ,  5F045AF04 ,  5F045BB05 ,  5F045DA55 ,  5F045DA63 ,  5F045DA64 ,  5F073AA13 ,  5F073AA45 ,  5F073AA55 ,  5F073AA74 ,  5F073BA04 ,  5F073CA20 ,  5F073CB02 ,  5F073CB05 ,  5F073CB07 ,  5F073DA24 ,  5F073EA29