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J-GLOBAL ID：200903038014492715

半導体基板の製造方法および発光素子の製造方法

Inventor： 只友 一行 ,  岡川 広明 ,  渡部 信一 ,  平松 和政
Applicant, Patent owner： 三菱電線工業株式会社
Agent (1)： 高島 一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994065141
Publication number (International publication number)：1995273367
Application date： Apr. 01, 1994
Publication date： Oct. 20, 1995
Summary：

【要約】【目的】 クラック等を発生させることなく高品質の半導体基板を製造することが可能な半導体基板の製造方法、ならびにこの半導体基板を用いた高輝度、高信頼性を有する発光素子の製造方法を提供すること。【構成】 本発明の半導体基板の製造方法は、半導体層形成用基板1上にバッファ層2を形成し、ついで該バッファ層2表面に、実質的にその上に結晶が成長し得ない材料で部分的にマスク3を形成することにより複数の露出部21を形成した後、該露出部21に半導体層4を形成する工程を有するものである。また、本発明の発光素子の製造方法は、上記方法により得られた半導体基板上に、半導体活性層および半導体クラッド層を有する多層部を形成する工程を有するものである。

Claim (excerpt)：

半導体層形成用基板上にバッファ層を形成し、ついで該バッファ層表面に、実質的にその上に結晶が成長し得ない材料で部分的にマスクを形成することにより複数の露出部を形成した後、該露出部に半導体層を形成する工程を有する半導体基板の製造方法。

IPC (2)：

H01L 33/00 ,  H01S 3/18