半導体発光装置及びこれを用いた照明用発光装置

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：岩橋文雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002009721
Publication number (International publication number)：2003218397
Application date： Jan. 18, 2002
Publication date： Jul. 31, 2003
Summary：

【要約】【課題】放熱特性がよくノイズを防止できる半導体発光装置及びこれを用いた照明用発光装置を提供する。【解決手段】透明基板上に積層した半導体薄膜層の一方の面に一対の電極を形成した単体発光素子2と、上面に2つの電極7,8を備え、この2つの電極7,8に一対の電極がそれぞれ導通する状態に単体発光素子2を接合し、下面には絶縁膜9を形成したSiサブマウント素子3と、このSiサブマウント素子3の下側に設けられた放熱ブロック4と、この放熱ブロック4に隣接する位置に設けられ、Siサブマウント素子3の2つの電極7,8にボンディングワイヤ10,11を介して接合する対となる電極ブロック5,6とを有する。

Claim (excerpt)：

透明基板上に積層した半導体薄膜層の一方の面に一対の電極を形成した単体発光素子を備えた半導体発光素子と、この半導体発光素子の下側に絶縁層を介して設けられた放熱ブロックと、この放熱ブロックに隣接する位置に設けられ、前記半導体発光素子の前記一対の電極に電気的に接続された対となる電極ブロックとを有し、前記半導体発光素子、前記放熱ブロック及び前記電極ブロックの一部は、樹脂で封止されていることを特徴とする半導体発光装置。

F-Term (15)：

5F041AA33 , 5F041AA43 , 5F041BB27 , 5F041CA13 , 5F041CA40 , 5F041DA02 , 5F041DA04 , 5F041DA07 , 5F041DA09 , 5F041DA13 , 5F041DA32 , 5F041DA36 , 5F041DA43 , 5F041DC64 , 5F041FF11

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

光半導体装置及びその形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-023236 Applicant：日亜化学工業株式会社, 富士機工電子株式会社
発光ダイオード
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-224608 Applicant：豊田合成株式会社, 株式会社光波
半導体発光装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-046977 Applicant：松下電子工業株式会社

Show all

Return to Previous Page