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J-GLOBAL ID:200903038052327469
電子ビーム励起プラズマ発生装置
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
関 正治
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1998013188
Publication number (International publication number):1999204292
Application date: Jan. 08, 1998
Publication date: Jul. 30, 1999
Summary:
【要約】【課題】 高純度で高密度のプロセスガスプラズマを得る安全で安価な電子ビーム励起プラズマ処理装置を提供する。【解決手段】 プラズマから引き出した電子が加速されてプラズマプロセス領域に射入してプロセス室31内にプロセスプラズマを生成するときに、プロセス室壁に対して放電陽極21と加速電極13の間の電圧と独立した負のバイアス電圧を印加してプロセス室31を接地することを特徴とし、プロセス室壁に対するプラズマ電位が壁材料のスパッタリングイールド以下になるようなバイアス電圧を印加する。特に、バイアス電流がゼロになるようなバイアス電圧を印加することが好ましい。
Claim (excerpt):
陰極と放電陽極と加速電極とプロセス室を備え、陰極からの電子により発生するプラズマから電子を引き出し加速してプロセス室内に射入し、プロセス室内のガスを電離解離してプロセスプラズマを生成する電子ビーム励起プラズマ発生装置において、プロセス室の壁と加速電極の間に電圧を印加する直流電源を備えて、プロセス室壁に対して放電陽極と加速電極の間の電圧と独立した負のバイアス電圧を印加することを特徴とする電子ビーム励起プラズマ発生装置。
IPC (4):
H05H 1/24
, C23C 16/50
, H01L 21/205
, H01L 21/3065
FI (4):
H05H 1/24
, C23C 16/50
, H01L 21/205
, H01L 21/302 B
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