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J-GLOBAL ID：200903038070977292
不揮発性半導体記憶装置の書き換え方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
宮井 暎夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991272532
Publication number (International publication number)：1993114295
Application date： Oct. 21, 1991
Publication date： May. 07, 1993
Summary：
【要約】【目的】 高集積化が容易で、信頼性が高く、回路構成が容易となる不揮発性半導体記憶装置の書き換え方法を提供する。【構成】 1モリセルM1、M2、M3、M4のコントロ-ルゲ-トに正の消去電圧を印加し、かつドレインを接地電位にすることによってメモリセルの消去を行なうとともに、コントロ-ルゲ-トに負の書き込み電圧を印加し、かつドレインに正の書き込み電圧または書き込み阻止電圧をかけることによってメモリセルの書き込み、または書き込み阻止を行なうようにする。
Claim (excerpt)：
ドレイン領域上に薄いトンネル絶縁膜を備えたフロ-ティングゲ-ト構造のメモリトランジスタからなる不揮発性半導体記憶装置の書き換え方法であって、前記メモリトランジスタのコントロ-ルゲ-トに正の消去電圧を印加し、かつドレインを接地電位にすることによってメモリトランジスタの消去を行なうとともに、コントロ-ルゲ-トに負の書き込み電圧を印加し、かつドレインに正の書き込み電圧または書き込み阻止電圧をかけることによってメモリトランジスタの書き込み、または書き込み阻止を行なうことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置の書き換え方法。
IPC (3)：
G11C 16/02
, H01L 29/788
, H01L 29/792
G11C 17/00 307 A
, H01L 29/78 371
