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J-GLOBAL ID：200903038077668058

電界放出素子及びその製造方法

Inventor： 伊藤 茂生 ,  山田 公
Applicant, Patent owner： 双葉電子工業株式会社
Agent (1)： 西村 教光
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993044331
Publication number (International publication number)：1994236731
Application date： Feb. 10, 1993
Publication date： Aug. 23, 1994
Summary：

【要約】【目的】 良好な再現性・均一性で単結晶のエミッタを簡単に形成する。【構成】 (a)Siからなる基板1上に絶縁層2とゲート3を積層する。(c)フォトリソグラフィとエッチングにより、絶縁層とゲートに孔5を形成する。(d)ゲート上にAlの剥離層6を形成する。(e)ICB蒸着により孔内の基板上にMoを被着する。Moはエピタキシャル膜として成長し、単結晶のエミッタ7が得られる。

Claim (excerpt)：

基板上にエミッタとゲートを有する電界放出素子の製造方法において、前記エミッタの少なくとも先端の電子放出部を、金属又は半導体からなる単結晶又は少なくとも前記基板に垂直な方向に優先配向した多結晶となるように、蒸着法によって形成したことを特徴とする電界放出素子の製造方法。

IPC (2)：

H01J 9/02 ,  H01J 1/30

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平1-149351
  
• 特開昭61-214510
  
• 特開平3-225725