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J-GLOBAL ID：200903038090918306
半導体装置の製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
宮井 暎夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991052663
Publication number (International publication number)：1993211235
Application date： Mar. 18, 1991
Publication date： Aug. 20, 1993
Summary：
【要約】【目的】 少しの衝撃や取扱いの僅かな不注意でウエハが破損することを防止し、製造歩留りを向上させる。【構成】 半導体回路1’を形成したウエハ1の表面に所定の深さの切込み3を形成した後、この所定の深さの切込み3を形成したウエハ1の表面に保護用シート4を貼り、ウエハ1の裏面を切込み3に達するまで研削してウエハ1を複数個の半導体素子6に分離する。これにより、従来のような直径が大きく、かつ厚みの薄いウエハを取り扱う工程をなくす。
Claim (excerpt)：
表面に半導体回路を形成したウエハの表面に所定の深さの切込みを形成する工程と、この所定の深さの切込みを形成したウエハの表面に第1保護用シートを貼る工程と、前記ウエハの裏面を前記切込みに達するまで研削して前記ウエハを複数個の半導体素子に分離する工程と、この複数個に分離した半導体素子の裏面に第2保護用シートを貼る工程と、前記第1保護用シートを剥離する工程とを含む半導体装置の製造方法。
IPC (2)：
H01L 21/78
, H01L 21/304 331
