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J-GLOBAL ID：200903038099318972

疎水性シリコンウエハの洗浄方法

Inventor： サイード・ピローズ ,  ラリー・ダブリュー・シャイブ
Applicant, Patent owner： エムイーエムシー・エレクトロニック・マテリアルズ・インコーポレイテッド
Agent (1)： 青山 葆 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995331648
Publication number (International publication number)：1996236495
Application date： Dec. 20, 1995
Publication date： Sep. 13, 1996
Summary：

【要約】【課題】 疎水性シリコンウエハの洗浄方法を提供する。【解決手段】 不均一にシリコンウエハ表面をエッチングすることなく、該表面に酸化物層を成長させるためにウエハの疎水性表面を化学的に酸化することによってシリコンウエハの疎水性表面から粒子を洗浄する方法であり、該酸化物層は該表面を親水性にし、次に、該親水性表面を苛性エッチング溶液で洗浄して、該表面から粒子を除去する洗浄方法。

Claim (excerpt)：

シリコンウエハの疎水性表面から粒子を洗浄する方法であって、該表面を不均一にエッチングすることなく、該表面に酸化物層を成長させるためにウエハの疎水性表面を化学的に酸化し、該酸化物層が該表面を親水性にする;苛性エッチング溶液で親水性表面を洗浄して、該表面から粒子を除去する;ことから成る洗浄方法。

IPC (3)：

H01L 21/304 341 ,  H01L 21/304 ,  H01L 21/308

FI (3)：

H01L 21/304 341 M ,  H01L 21/304 341 L ,  H01L 21/308 G