Pat

J-GLOBAL ID：200903038106803822

ドライエッチング装置

Inventor： 辻本 和典 ,  組橋 孝生 ,  小藤 直行 ,  田地 新一
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 薄田 利幸
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992312526
Publication number (International publication number)：1994163465
Application date： Nov. 24, 1992
Publication date： Jun. 10, 1994
Summary：

【要約】【目的】エッチング深さのパターン寸法依存性を減少させて、微細で高アスペクト比のパターンを、高い精度で形成する。【構成】プラズマ発生部と試料エッチ部の間に圧力差を形成して、中性粒子を試料エッチ部へ導入し、さらに中性粒子に方向性を与える手段を設けて、中性粒子をウェハの表面に垂直に入射させる。【効果】幅が狭く、高アスペクト比の孔の底部に、中性粒子が十分に供給されるので、微細で高アスペクト比のパターンを、低いパターン寸法依存性で、迅速かつ高い精度で形成できる。

Claim (excerpt)：

エッチングガスのプラズマを発生させる手段と、真空容器内に置かれた被エッチ物を上記プラズマを用いてエッチする手段と、上記真空容器内を排気する手段と、上記プラズマに含まれる中性粒子を移動させる手段と、上記中性粒子の移動の方向性を制御する手段を少なくとも具備し、上記中性粒子は上記被エッチ物の表面に入射されてエッチングが行なわれることを特徴とするドライエッチング装置。

IPC (4)：

H01L 21/302 ,  C23F 4/00 ,  G01N 24/14 ,  G01R 33/64

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開昭58-202533
  
• 特開平2-035725
  
• 特開平2-214119
  
• 特開平4-293779