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J-GLOBAL ID：200903038107686587

半導体レーザ装置

Inventor： 田辺 英三
Applicant, Patent owner： 富士電機株式会社
Agent (1)： 山口 巖
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991223191
Publication number (International publication number)：1993063309
Application date： Sep. 04, 1991
Publication date： Mar. 12, 1993
Summary：

【要約】【目的】半導体レーザ装置をより小形、軽量なものとする。【構成】Si基板12に形成したレーザ光をモニターするPD2と、Si基板12上に設けたLDチップ1とこれらに必要な電極13、14およびSi基板12の裏面全域に形成した共通電極16を有し、Si基板12のレーザ光出射側端部の段差を付けた端面に、出射レーザ光を透過させる透明板17を取り付け、LDチップ1と透明板17との間、およびLDチップ1とPD2の全表面を透明樹脂18で被覆する構成とすることにより、重量部品を用いることなく、小形、軽量で安価な半導体レーザ装置を得ることができる。

Claim (excerpt)：

シリコン基板に形成しレーザ光をモニターするフォトダイオードとその電極、前記シリコン基板上に電気的に接続したレーザダイオードチップとその電極、前記シリコン基板のレーザ光出射側端面に取り付け出射レーザ光を全て透過させる大きさの透明板、前記レーザダイオードチップと前記フォトダイオードの全表面を被覆する透明樹脂、前記シリコン基板の裏面全域に形成した共通電極を有することを特徴とする半導体レーザ装置。

IPC (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 31/10

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭64-028882
  
• 特開昭63-253690
  
• 特開平3-048479