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J-GLOBAL ID：200903038110182620

半導体レーザーアレイ装置

Inventor： 實野 孝久 ,  神前 康次 ,  中塚 正大 ,  中井 貞雄
Applicant, Patent owner： 科学技術振興事業団
Agent (1)： 西澤 利夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997165737
Publication number (International publication number)：1999017268
Application date： Jun. 23, 1997
Publication date： Jan. 22, 1999
Summary：

【要約】【課題】 高出力且つ高輝度の半導体レーザー光を発生させて、それを効率よく集光させることのできる、小型、且つ高電気-光変換効率な、新しい半導体レーザーアレイ装置を提供する。【解決手段】複数の半導体レーザーにより構成された半導体レーザーアレイと、この半導体レーザーアレイのレーザー光出力側に設けられたマイクロレンズアレイと、このマイクロレンズアレイの出力側に設けられた集光レンズとを備えた装置であって、半導体レーザーアレイの各半導体レーザーの活性層の幅が集光に必要な幅を有しており、各半導体レーザーからの出力レーザー光がマイクロレンズアレイによりコリメートされて集光レンズに照射され、この集光レンズによりコリメートレーザー光が集光される。

Claim (excerpt)：

複数の半導体レーザーにより構成された半導体レーザーアレイと、この半導体レーザーアレイのレーザー光出力側に設けられたマイクロレンズアレイと、このマイクロレンズアレイの出力側に設けられた集光レンズとを備えた装置であって、半導体レーザーアレイの各半導体レーザーの活性層の幅が集光に必要な幅を有しており、各半導体レーザーからの出力レーザー光がマイクロレンズアレイによりコリメートされて集光レンズに照射され、この集光レンズによりコリメートレーザー光が集光されることを特徴とする半導体レーザーアレイ装置。