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J-GLOBAL ID：200903038116594598

発光素子

Inventor： 佐野 景一 ,  綾 洋一郎
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 目次 誠 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993144581
Publication number (International publication number)：1995007179
Application date： Jun. 16, 1993
Publication date： Jan. 10, 1995
Summary：

【要約】【目的】 多孔質シリコンを用いた発光素子であって、その発光強度を効果的に高め得る発光素子を提供する。【構成】 多孔質シリコン層2と、多孔質シリコン層2の両面に直接または間接に形成された電極4,5とを備え、上記多孔質シリコン層2が、多孔質シリコン層2のポアに比べて相対的に大きく、アスペクト比が1以下の凹凸が形成された単結晶シリコン層または多結晶シリコン層を陽極酸化することにより構成されている発光素子1。

Claim (excerpt)：

多孔質シリコン層と、前記多孔質シリコン層の両面に直接または間接に形成された電極とを備える発光素子において、前記多孔質シリコン層が、多孔質シリコン層のポアに比べて相対的に大きく、アスペクト比が1以下の凹凸が形成された単結晶シリコン層または多結晶シリコン層を陽極酸化することにより構成されていることを特徴とする、発光素子。