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J-GLOBAL ID：200903038117412574

パワー半導体装置

Inventor： 九嶋 忠雄 ,  小池 義彦 ,  田中 明 ,  清水 英雄 ,  斉藤 隆一 ,  井上 広一 ,  栗原 保敏 ,  山田 一二
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995280118
Publication number (International publication number)：1997129797
Application date： Oct. 27, 1995
Publication date： May. 16, 1997
Summary：

【要約】【課題】複数の内部平板導電リード端子を備えた樹脂封止型パワー半導体装置の、熱応力による絶縁基板の割れを防止する。【解決手段】内部平板導電リード端子のS字型ベンド部のリード幅をリード端子直線部より大きくし、その厚さを薄くし、実質的にリード端子直線部と同じ導電容量を有する形状とする。

Claim (excerpt)：

外部樹脂パッケージ材と絶縁基板と核絶縁基板の上に積層した導電パターンと該導電パターンに接続された内部平板導電リード端子とを備えた樹脂封止型パワー半導体装置において、該内部平板導電リード端子がS字型ベンド形状部を備え、該S字型ベンド形状部が前記内部平板導電リード端子のリード端子直線部より厚さが薄くかつ幅広で、前記リード端子直線部と実質的に同等の導電容量を有する平板リード形状であることを特徴とする樹脂封止型パワー半導体装置。

FI (2)：

H01L 23/48 G ,  H01L 23/48 P