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J-GLOBAL ID：200903038130368525

半導体装置の製造方法

Inventor：
小野 泰弘

About 小野 泰弘

, 
渡嘉敷 健

About 渡嘉敷 健


Applicant, Patent owner：
日本電気株式会社

About 日本電気株式会社


Agent (1)： 畑 泰之
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001047945
Publication number (International publication number)：2002252211
Application date： Feb. 23, 2001
Publication date： Sep. 06, 2002
Summary：
【要約】【課題】 高エッチングレートで、しかも、高異方性形状のエッチングを可能にした高誘電体膜のエッチング方法を提供する。【解決手段】 高誘電体膜をエッチングする際、無機材料からなるマスクを用いると共に、フッ素ガス又はフッ素化合物からなるガスと不活性ガスとの混合ガスをエッチングガスとして用いる高誘電体膜のエッチング方法であって、前記混合ガスに、酸素ガスを添加して、前記高誘電体膜をエッチングすることを特徴とする。
Claim (excerpt)：
高誘電体膜をエッチングする際、無機材料からなるマスクを用いると共に、フッ素ガス又はフッ素化合物からなるガスと不活性ガスとの混合ガスをエッチングガスとして用いる半導体装置の製造方法であって、前記混合ガスに、酸素ガスを添加して、前記高誘電体膜をエッチングすることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (5)：
H01L 21/3065 ,  H01L 21/302 ,  H01L 27/105 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242
FI (4)：
H01L 21/302 F ,  H01L 21/302 Z ,  H01L 27/10 444 C ,  H01L 27/10 651
F-Term (23)：
5F004AA02 ,  5F004AA03 ,  5F004AA04 ,  5F004AA05 ,  5F004AA16 ,  5F004BA01 ,  5F004BA04 ,  5F004BA11 ,  5F004BA13 ,  5F004BB26 ,  5F004CA02 ,  5F004CA04 ,  5F004DA01 ,  5F004DA16 ,  5F004DA23 ,  5F004DA26 ,  5F004DB12 ,  5F004DB13 ,  5F004EA01 ,  5F004EA03 ,  5F083JA15 ,  5F083JA38 ,  5F083PR03
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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