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J-GLOBAL ID：200903038141022990

半導体装置とその製造方法

Inventor： 角 博文
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 佐藤 隆久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991352266
Publication number (International publication number)：1993167007
Application date： Dec. 13, 1991
Publication date： Jul. 02, 1993
Summary：

【要約】【目的】 プラグイン方式の半導体装置において,導電性プラグと接続されるTFTのドレーンまたはソースの接触面を大きくし接触抵抗値を低下させる。【構成】 本発明のプラグイン方式半導体装置においては,導電性プラグ39と直交方向に接続されるTFTのTFTドレーン領域33を構成するポリシリコン層23を,導電性プラグ39と接触する近傍のみをポリシリコン肉厚層23Aとしてのみ厚く形成する。

Claim (excerpt)：

導電層または半導体層をこれらの層と直交する方向から導電性接続部材によって接続する半導体装置において,上記導電性接続部材と直交して接続される導電層または半導体層のうち上記導電性接続部材に接続する部分の周囲のみ厚く形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (4)：

H01L 27/00 301 ,  H01L 27/06 ,  H01L 27/12 ,  H01L 29/784

FI (3)：

H01L 27/06 102 E ,  H01L 27/06 102 B ,  H01L 29/78 311 C